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意法半導體新推出的SLLIMM?-nano智(zhi)能(neng)功(gong)率模塊(kuai)(IPM)引入新的封(feng)裝類型，并集成更多元器(qi)(qi)件(jian)，加快300W以下(xia)低功(gong)率電機(ji)驅(qu)動器(qi)(qi)研發，簡化組裝過(guo)程。

3A和5A 模塊內(nei)置當前*********的(de)600V超(chao)結MOSFET，最大限(xian)度提升空氣壓縮機、風扇、泵等(deng)設(she)備(bei)的(de)能效。各種直列引腳或Z形引腳封(feng)裝有(you)助于優(you)化(hua)空間占用率，確保所需(xu)的(de)引腳間距。內(nei)部開孔(kong)選項讓低價散(san)熱器的(de)安裝更容易(yi)。此外(wai)，發射極開路輸出分(fen)開設(she)計可簡化(hua)PCB板單路或三路Shunt (分(fen)流電(dian)阻(zu))電(dian)流監視走(zou)線。

每(mei)個IPM模塊都包(bao)含由六(liu)支MOSFET組成(cheng)的(de)(de)三相半(ban)橋和一個高(gao)壓柵驅動芯(xin)片。新增功(gong)能有助于簡(jian)化(hua)保護電(dian)(dian)路和防錯(cuo)電(dian)(dian)路設計(ji)，包(bao)括一個用于檢測(ce)電(dian)(dian)流的(de)(de)未使(shi)用的(de)(de)運放(fang)、用于高(gao)速錯(cuo)誤保護電(dian)(dian)路的(de)(de)比較器(qi)和用于監(jian)視溫度(du)的(de)(de)可(ke)選的(de)(de)NTC (負溫度(du)系(xi)數)熱(re)敏電(dian)(dian)阻(zu)，還集成(cheng)一個自舉二極管，以降低物料清單(BOM)成(cheng)本，簡(jian)化(hua)電(dian)(dian)路板布(bu)局設計(ji)。智能關斷電(dian)(dian)路可(ke)保護功(gong)率(lv)開關管，欠(qian)壓鎖保護(UVLO)預防低Vcc或Vboot電(dian)(dian)壓引起(qi)的(de)(de)功(gong)能失效(xiao)。

超結MOSFET在25°C時通態(tai)電(dian)(dian)阻只有(you)1.0?，最(zui)大 1.6? ，低(di)(di)電(dian)(dian)容和(he)低(di)(di)柵電(dian)(dian)荷可(ke)最(zui)大限度降低(di)(di)通態(tai)損(sun)耗和(he)開(kai)關(guan)損(sun)耗，從而提升20kHz以(yi)下(xia)硬(ying)開(kai)關(guan)電(dian)(dian)路(lu)的能效，包括(kuo)各種工業(ye)電(dian)(dian)機驅動器(qi)，準許低(di)(di)功率(lv)應用(yong)無需使(shi)用(yong)散(san)熱器(qi)。此外(wai)，優化(hua)的開(kai)關(guan)di/dt和(he)dV/dt上升速率(lv)確保(bao)EMI干(gan)擾處于一個較低(di)(di)的級(ji)別，可(ke)以(yi)進(jin)一步簡化(hua)電(dian)(dian)路(lu)的設計(ji)布局(ju)。

新模塊的(de)最(zui)高額定結(jie)溫是150°C，取得了UL 1557認證，電絕緣級(ji)別高達1500Vrms/min。